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类别是'category.MOSFETs 晶体管阵列' (10000)

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产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	底架	安装类型	表面安装	引脚数	材料	终端数量	晶体管元件材料														Maximum Drain Source Resistance (MOhm)																																															包装	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	ECCN 代码	电阻	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	附加功能	子类别	最大功率耗散	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	Reach合规守则	引脚数量	JESD-30代码	资历状况	配置	操作模式	功率耗散	箱体转运	接通延迟时间	晶体管应用	上升时间	漏源电压 (Vdss)	极性/通道类型	连续放电电流(ID)	JEDEC-95代码	栅极至源极电压(Vgs)	最大漏极电流 (Abs) (ID)	漏极-源极导通最大电阻	漏源击穿电压	脉冲漏极电流-最大值(IDM)	输入电容
TK20A25D,S5X(J)	Toshiba	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	通孔	Si	4.5	10	3	Tab	TO-220SIS	TO-220SIS	+150 °C						Compliant	EAR99	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	250	±20	20	100@10V	55@10V	55		2550@100V	45000	35	30	270	60	-55	150	通孔	15	Tube			活跃													3			Single																		N								15mm	10mm	4.5mm
IRHLUC7670Z4SCS	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1					不合规		出口接触方式	无	无	60							活跃
IRHY57234CMSES	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1				供应商未确认	无	无	250	9.6	750000	通孔	10.92(Max)	5.08(Max)	10.66(Max)	3	Tab	TO-257AA									活跃													3																					N
JANSR2N7489T3	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	5.08(Max)	10.66(Max)	3	Tab	TO-257AA								不合规	出口接触方式	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	200	±20	12	230@12V	28(Max)@12V		1000@25V	75000	30(Max)	100(Max)	35(Max)	25(Max)	-55	150	通孔	10.92(Max)				活跃													3			Single																		N
IRLML2502TRPBF-1	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	1.2	4.2		100	1	[email protected]	8@5V	740@15V	1250	26	10	54	7.5	-55	150	表面贴装	1.02(Max)	1.4(Max)	3.04(Max)	3	SOT	SOT-23	Gull-wing	1	未说明	150 °C	有	IRLML2502TRPBF-1	Infineon Technologies AG	活跃	INFINEON TECHNOLOGIES AG	5.31							Compliant	EAR99	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	HEXFET	Enhancement	1	20	±12	卷带			NRND	EAR99						FET 通用电源				未说明	compliant	3			Single								N-CHANNEL				4.2 A						N		METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	1.25 W
IRHLF770Z4SCS	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	TO-205-AF	TO-39	通孔								供应商未确认	出口接触方式	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	60	±10	1.6	[email protected]	2.6(Max)@4.5V		152@25V	5000	13(Max)	14(Max)	30(Max)	6.5(Max)	-55	150	通孔	4.54(Max)	3				活跃													3			Single																		N							9.22(Max)
JANSF2N7471T1	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	150	Military	通孔	13.84(Max)	6.6(Max)	13.84(Max)	3	Tab	TO-254-AA	TO-254AA	通孔								不合规	出口接触方式	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	100	±20	45	14@12V	160(Max)@12V		6270@25V	208000	50(Max)	125(Max)	75(Max)	35(Max)	-55				活跃													3			Single																		N
IRHNA593Z60	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	17.65(Max)	13.46(Max)	3	SMD	SMD-2								不合规	出口接触方式	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	30	±20	56	13@12V	220(Max)@12V		7844@25V	250000	80(Max)	175(Max)	100(Max)	35(Max)	-55	150	表面贴装	3.07(Max)				Preliminary													3			Single																		P
IRHNM53110	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8.15(Max)	5.74(Max)	3	SMD-0.2	No Lead								不合规	出口接触方式	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	100	±20	6.9	220@12V	15(Max)@12V		378@25V	23000	15(Max)	8(Max)	34(Max)	6.6(Max)	-55	150	表面贴装	2.46(Max)				活跃													3			Single																		N
AUIRFS4010-7TRR	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	Si	6	SILICON	±20	190	4@10V	150@10V		150	9830@50V	380000	48	56	100	19	-55	175	汽车	表面贴装	4.83(Max)	9.65(Max)	10.67(Max)	6	Tab	TO-263	D2PAK	Gull-wing	D2PAK-7	小概要	1	PLASTIC/EPOXY	30	175 °C	有	AUIRFS4010-7TRR	RECTANGULAR	Infineon Technologies AG	1	Obsolete	INFINEON TECHNOLOGIES AG	5.67	190 A				Compliant	EAR99	有	Unknown	功率MOSFET	HEXFET	Enhancement	1	100	卷带	e3		Obsolete	EAR99		Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier			AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE, HIGH RELIABILITY	FET 通用电源		SINGLE	鸥翼	260	compliant	7	R-PSSO-G6		单一泉源	增强型MOSFET		DRAIN		SWITCHING			N-CHANNEL				190 A	0.004 Ω		740 A		100 V	N	330 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	380 W
AUIRF7648M2TR1	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	YES	9	Si	5	SILICON		35	2170@25V	2500	14	23	19	12	-55	175	汽车	表面贴装	0.49(Max)	5.05(Max)	5.45(Max)	9	Direct-FET M4	1	Compliant	19 ns	HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-5	CHIP CARRIER	UNSPECIFIED	未说明	175 °C	有	AUIRF7648M2TR1	RECTANGULAR	International Rectifier	Obsolete	INTERNATIONAL RECTIFIER CORP	5.37	14 A		Compliant	EAR99	有	Unknown	功率MOSFET	DirectFET	Enhancement	1	60	±20	14	7@10V	35@10V	卷带			Obsolete	EAR99	7 MΩ		175 °C	-55 °C	HIGH RELIABILITY	FET 通用电源	2.5 W	BOTTOM	无铅	未说明	unknown	9	R-XBCC-N5	不合格	单四源双漏极	增强型MOSFET	63 W	DRAIN	12 ns	SWITCHING	23 ns	60 V	N-CHANNEL	14 A		20 V	179 A	0.007 Ω	60 V	272 A	2.17 nF	60 V	N	70 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	63 W	7 mΩ	7 mΩ	4 V		740 µm	6.35 mm	5.05 mm	无	无SVHC
IRHLNJ793034SCS	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Si	[email protected]						供应商未确认	出口接触方式	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	60	±10	-55 to 150	22	36(Max)@4.5V	2261@25V	57000	85(Max)	250(Max)	100(Max)	32(Max)	-55	150	表面贴装	2.61(Max)	10.28(Max)	7.64(Max)	3	SMD-0.5					活跃													3			Single																		P
JANSF2N7579U2	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	供应商未确认	无	无	100	56	2500000	表面贴装	3.07(Max)	17.65(Max)	13.46(Max)	3	SMD-2												活跃													3																					N
AUIRFS3307ZTRR	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	Si	2	SILICON	有	Unknown	功率MOSFET	HEXFET	Enhancement	1	75	±20	4		128	100	20	5.8@10V	79@10V	79	4750@50V	230000	65	64	38	15	-55	175	汽车	表面贴装	4.83(Max)	9.65(Max)	10.67(Max)	2	Tab	TO-263	D2PAK	Gull-wing	ROHS COMPLIANT, PLASTIC, D2PAK-3	小概要	1	PLASTIC/EPOXY	30	175 °C	有	AUIRFS3307ZTRR	RECTANGULAR	Infineon Technologies AG	1	Obsolete	INFINEON TECHNOLOGIES AG	5.7	120 A				符合免除	EAR99	有	有	卷带	e3		Obsolete	EAR99		镍外哑光锡			AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE, HIGH RELIABILITY	FET 通用电源		SINGLE	鸥翼	260	compliant	3	R-PSSO-G2		Single	增强型MOSFET		DRAIN		SWITCHING			N-CHANNEL		TO-263AB		120 A	0.0058 Ω		480 A		75 V	N	140 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	230 W
AUIRFS3107-7TRR	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	Si	6	SILICON	75	±20	260	2.6@10V	160@10V		160	9200@50V	370000	64	80	100	17	-55	175	汽车	表面贴装	4.83(Max)	9.65(Max)	10.67(Max)	6	Tab	TO-263	D2PAK	Gull-wing	ROHS COMPLIANT, PLASTIC, D2PAK-7	小概要	1	PLASTIC/EPOXY	30	175 °C	有	AUIRFS3107-7TRR	RECTANGULAR	International Rectifier	1	Obsolete	INTERNATIONAL RECTIFIER CORP	5.15	D2PAK	240 A				Compliant	EAR99	有	Unknown	功率MOSFET	HEXFET	Enhancement	1	卷带	e3	有	Obsolete	EAR99		镍外哑光锡			AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE	FET 通用电源		SINGLE	鸥翼	260	compliant	7	R-PSSO-G6		单一泉源	增强型MOSFET		DRAIN		SWITCHING			N-CHANNEL		TO-263CB		240 A	0.0026 Ω		1060 A		75 V	N	320 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	370 W
AUIRLR3714	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1					Compliant	EAR99	有	Unknown	功率MOSFET	HEXFET	20	汽车								Unconfirmed																																		N
AUIRL1404ZSTRR	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	Si	2	SILICON	Enhancement	1	40	±16	180		3.1@10V	75@5V	5080@25V	200000	49	180	30	19	-55	175	汽车	表面贴装	4.83(Max)	9.65(Max)	10.67(Max)	2	Tab	TO-263	D2PAK	Gull-wing	ROHS COMPLIANT, PLASTIC, D2PAK-3	小概要	1	PLASTIC/EPOXY	30	175 °C	有	AUIRL1404ZSTRR	RECTANGULAR	Infineon Technologies AG	1	活跃	INFINEON TECHNOLOGIES AG	5.13	160 A				符合免除	EAR99	有	有	有	Unknown	功率MOSFET	HEXFET	卷带	e3		Obsolete	EAR99		镍外哑光锡			AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ULTRA-LOW RESISTANCE	FET 通用电源		SINGLE	鸥翼	260	compliant	3	R-PSSO-G2	不合格	Single	增强型MOSFET		DRAIN		SWITCHING			N-CHANNEL		TO-263AB		180 A	0.0031 Ω		790 A		40 V	N	490 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	200 W
AUIRL7732S2TR1	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	Si	3	SILICON	[email protected]		2020@25V	2200	37	123	22	21	-55	175	汽车	表面贴装	0.49(Max)	3.95(Max)	3.95(Max)	7	Direct-FET SC	No Lead	HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, ISOMETRIC-3	CHIP CARRIER	1	UNSPECIFIED	40	150 °C	有	AUIRL7732S2TR1	RECTANGULAR	International Rectifier	1	Obsolete	INTERNATIONAL RECTIFIER CORP	5.39	14 A				Compliant	EAR99	有	Unknown	功率MOSFET	DirectFET	Enhancement	1	40	±16	14	6.6@10V	卷带	e3	有	Obsolete	EAR99		哑光锡			HIGH RELIABILITY, LOGIC LEVEL COMPATIBLE	FET 通用电源		BOTTOM	无铅	260	compliant	7	R-XBCC-N3	不合格	单四漏双源	增强型MOSFET		DRAIN		SWITCHING			N-CHANNEL				58 A	0.0066 Ω		230 A		40 V	N	124 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	41 W
AUIRF7734M2TR1	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Si	汽车	表面贴装	0.49(Max)	5.05(Max)	5.45(Max)	7	Direct-FET M2	No Lead							Compliant	EAR99	有	Unknown	功率MOSFET	DirectFET	Enhancement	1	40	±20	17	4.9@10V	48@10V		48	2545@25V	2500	45	49	42	13	-55	175	卷带			Obsolete													7			单四漏双源																		N
AUIRLS3036TRR	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Si	2.4@10V	[email protected]	11210@50V	380000	110	220	110	66	-55	175	汽车	表面贴装	4.83(Max)	9.65(Max)	10.67(Max)	2	Tab	TO-263	D2PAK	Gull-wing							符合免除	EAR99	有	有	有	Unknown	功率MOSFET	HEXFET	Enhancement	1	60	±16	2.5		270	100	20	卷带			Obsolete													3			Single																		N
AUIRFS3006TRR	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	Si	2	SILICON	HEXFET	Enhancement	1	60	±20	270	2.5@10V	200@10V	200	8970@50V	375000	189	182	118	16	-55	175	汽车	表面贴装	4.83(Max)	9.65(Max)	10.67(Max)	2	Tab	TO-263	D2PAK	Gull-wing	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	小概要	1	PLASTIC/EPOXY	30	175 °C	有	AUIRFS3006TRR	RECTANGULAR	International Rectifier	1	Obsolete	INTERNATIONAL RECTIFIER CORP	5.11	D2PAK	195 A				符合免除	EAR99	有	有	有	Unknown	功率MOSFET	卷带	e3	有	Obsolete	EAR99		镍外哑光锡			AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE	FET 通用电源		SINGLE	鸥翼	260	compliant	3	R-PSSO-G2		Single	增强型MOSFET		DRAIN		SWITCHING			N-CHANNEL		TO-263AB		195 A	0.0025 Ω		1080 A		60 V	N	320 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	375 W
IRHLF7970Z4SCS	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	[email protected]	-55	150	通孔	4.54(Max)	3	TO-205-AF	TO-39	通孔								供应商未确认	出口接触方式	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	R7	Enhancement	1	60	±10	2	1.5	100	1	2.8(Max)@4.5V	177@25V	5000	27(Max)	45(Max)	12(Max)	24(Max)				活跃													3			Single																		P							9.22(Max)
AUIRLS3036-7TRR	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	Si	6	SILICON	300	1.9@10V	[email protected]		11270@50V	380000	170	540	89	81	-55	175	汽车	表面贴装	4.83(Max)	9.65(Max)	10.67(Max)	6	Tab	TO-263	D2PAK	Gull-wing	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G6	小概要	1	PLASTIC/EPOXY	30	175 °C	有	AUIRLS3036-7TRR	RECTANGULAR	Infineon Technologies AG	1	Obsolete	INFINEON TECHNOLOGIES AG	5.66	240 A				Compliant	EAR99	有	Unknown	功率MOSFET	HEXFET	Enhancement	1	60	±16	卷带	e3		Obsolete	EAR99		镍外哑光锡			AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE	FET 通用电源		SINGLE	鸥翼	260	compliant	7	R-PSSO-G6		单一泉源	增强型MOSFET		DRAIN		SWITCHING			N-CHANNEL		TO-263CB		240 A	0.0019 Ω		1000 A		60 V	N	300 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	380 W
AUXIRSAMPLES (AUIRFN8401TR)	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Si	13	22	6.1	-55	175	汽车	表面贴装	1.1	5.76	4.98	8	PQFN							符合免除	EAR99	有	Unknown	功率MOSFET	HEXFET	Enhancement	1	40	±20	3.9	84	100		1	4.6@10V	44@10V	44	2170@25V	4200	12	卷带			Obsolete													8			单四漏三源																		N
AUIRFS4010TRR	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	Si	2	SILICON	功率MOSFET	HEXFET	Enhancement	1	100	±20	180		4.7@10V	143@10V	143	9575@50V	375000	77	86	100	21	-55	175	汽车	表面贴装	4.83(Max)	9.65(Max)	10.67(Max)	2	Tab	TO-263	D2PAK	Gull-wing	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	小概要	1	PLASTIC/EPOXY	30	175 °C	有	AUIRFS4010TRR	RECTANGULAR	International Rectifier	1	Obsolete	INTERNATIONAL RECTIFIER CORP	5.13	D2PAK	180 A				符合免除	EAR99	有	有	有	Unknown	卷带	e3	有	Obsolete	EAR99		镍外哑光锡			AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE, HIGH RELIABILITY	FET 通用电源		SINGLE	鸥翼	260	compliant	3	R-PSSO-G2		Single	增强型MOSFET		DRAIN		SWITCHING			N-CHANNEL		TO-263AB		180 A	0.0047 Ω		720 A		100 V	N	318 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	375 W